[1] 1998

پرش الکترون داغ

اگر الکترونی به حد کافی انرژی بگيرد می تواند از يک تراز انرژی پايين تر به تراز انرژی بالاتر جهش نمايد.هر چه اختلاف انرژی  تراز اوليه و نهايي بيشتر باشد ، بايد انرژی بيشتری به الکترون داده شود.

تعبير اين انرژی در خارج از نظريه حالت جامد،  انرژی جنبشی الکترون می تواند باشد.لذاست که به چنين الکترونی، الکترون داغ می گويند.

در تراشه ها ی نوين، برای ذخيره اطلاعات به صورت مستقلِ از منابع انرژی [1]، از به دام انداختن الکترون ها در يک قطعه فلزی که  پوشيده شده از مواد عايق است، استفاده می شود. لذاست که پاک کردن  اطلاعات نياز به رهاندن الکترون ها دارد.

برای تامين انرژی جهش الکترون ، می توان از امواج پر انرژی ماوراء بنفش استفاده کرد.

در تراشه های EPROM از همين شيوه برای پاک کردن تراشه از اطلاعات استفاده می شد.چنانکه سطوحی فلزي بر سطح تراشه نقش جاذب امواج را بازی ميکرد.به همين دليل گاهاً از اين روش به برنامه ريزی نوری تعبير می شد.

اما با پيشرفت تکنولوژی،  پژوهشگران توانستند تراشه ها را به صورت الکترونيکی از اطلاعات پاک کنند. يعنی انرژی لازم برای جهش الکترون را از طريق ايجاد ميدان الکتريکی ،در مسير جهش، ايجاد کنند.اين امر سبب توسعه تراشه هايي با عنوان EEPROM  گشت.

شيوه اخير در به دام انداختن الکترون ها در تراشه های نوع NOR از حافظه های فلش استفاده می شود و از آن تعبير به "تزريق الکترون های داغ"[2] می شود. برای رهاندن الکترون ها نيز از شيوه تونل زنی –که توضيح آن در صفحه پيش آمد- استفاده می شود.

علت استفاده از 2 شيوه متفاوت برای نوشتن و پاک کردن بيت ها در بخش مربوطه مفصلاً خواهد آمد.