در تلگرام همراه ما باشید دریافت پروژه

اطلاعیه فروشگاه

در هنگام خرید حتما روی دکمه تکمیل خرید در صفحه بانک کلیک کنید تا پرداخت شما تکمیل شود مراحل پرداخت را تا آخر و دریافت کدپیگیری سفارش انجام دهید.در صورتی که نتوانستید پرداخت الکترونیکی را انجام دهید چند دقیقه صبر کنید و مجددا اقدام کنید و یا از طریق مرورگر دیگری وارد سایت شوید یا اینکه بانک عامل را تغییر دهید.راه های اربتاطی با ما شماره 09160593559یا ایمیلsajjad.behmard001@gmail.com با تشکر

حافظه های فلش (word) 14 صفحه

حافظه های فلش (word) 14 صفحه

عنوان : حافظه های فلش

قالب بندی :word

 تعداد صفحات :14

 

محتویات

ديباچه3

اصول و مبانی4

تونل زنی الکترون5

پرش الکترون داغ7

پيوند گاه p-n.. 8

ترانزيستورهای اثر ميدان10

ساختار سلول های حافظه فلش.. 11

انواع حافظه های فلش ؛ مزيت ها و محدوديت ها 13

حافظه های نوع NOR.. 14

حافظه های نوع NAND... 15

منابع و مآخذ.17

 

قسمتی از متن

  ديباچه

تند باد فناوری چنان توفنده است که سرعت به روز شدن را از انسان ها گرفته است، چه رسد به يادآوری گذشته!

    برگ های تاريخ تکنولوژی گواهند که سرعتِ ايجاد تکنولوژی های نوين از سرعت تجاری شدن آنها پيشی گرفته است تا جاييکه وسايل مدرن امروزين -از ديدگاه استفاده کنندگان- همان اختراعات ثبت شده دهه های پيشين- از ديدگاه مهندسان و پژوهشگران- است.لذاست که عجيب نمی نمايد فهمِ کارکردِ دستگاه هایِ امروزين-اختراعات دهه های پيش-، توسط انسان های امروزين.

حافظه های فلش[1] از دست آورد های تکنولوژی در دهه 80 ميلادی است که در قرن 21 فرصت حضور گسترده در بازارهای تجاری را يافت.

در اين اندک مجال به  معرفی تاريخچه و  اصول اوليه کارکرد آنها می پردازيم.


[1] Flash memories

 

تونل زنی الکترون

فرآيند تونل زدن يك پديده‌ی مكانيكي- كوانتومی است كه يك الكترون می‌تواند از ميان سد انرژی بزرگتر از انرژی جنبشی خود عبور كند.

اگر ساختاری ايجاد شود كه متشكل از 2 فلز مشابه باشد و اين 2 فلز توسط يك ماده‌ی عايق نازك جدا شوند، تحت شرايط معينی الكترون می‌تواند از یك فلز به دیگر انتقال یابد. تونل زدن الكترون، از يك طرف به طرف ديگر آن در صورتی انكام می‌شود كه حالت‌های الكترونی اشغال نشده در طرف ديگر وجود داشته باشد.

فيلم‌های اكسيدی بسيار نازك با رشد خود به خودی برای ايجاد اتصالات تونلی الكترونی مورد توجه می‌باشند كه به لايه‌ی عايق با ضخامتی حدود 2-1 نانومتر احتياج دارند. اين دسته از طريق رسوب‌دهی فلزاتی كه به آسانی قابل اكسيد شدن می‌باشند، ايجاد می‌شوند.

حافظه‌ای با دانسيته بيش از 30 گيگا بيت بر اينچ مربع، تقريباً 5 گيگا بيت بر سانتيمتر مربع می توان با ساختارهای كبالت با ابعاد 75*25 نانومتر ايجاد كرد.[1]


[1] 1998

پرش الکترون داغ

 

اگر الکترونی به حد کافی انرژی بگيرد می تواند از يک تراز انرژی پايين تر به تراز انرژی بالاتر جهش نمايد.هر چه اختلاف انرژی  تراز اوليه و نهايي بيشتر باشد ، بايد انرژی بيشتری به الکترون داده شود.

تعبير اين انرژی در خارج از نظريه حالت جامد،  انرژی جنبشی الکترون می تواند باشد.لذاست که به چنين الکترونی، الکترون داغ می گويند.

در تراشه ها ی نوين، برای ذخيره اطلاعات به صورت مستقلِ از منابع انرژی [1]، از به دام انداختن الکترون ها در يک قطعه فلزی که  پوشيده شده از مواد عايق است، استفاده می شود. لذاست که پاک کردن  اطلاعات نياز به رهاندن الکترون ها دارد.

برای تامين انرژی جهش الکترون ، می توان از امواج پر انرژی ماوراء بنفش استفاده کرد.

در تراشه های EPROM از همين شيوه برای پاک کردن تراشه از اطلاعات استفاده می شد.چنانکه سطوحی فلزي بر سطح تراشه نقش جاذب امواج را بازی ميکرد.به همين دليل گاهاً از اين روش به برنامه ريزی نوری تعبير می شد.

اما با پيشرفت تکنولوژی،  پژوهشگران توانستند تراشه ها را به صورت الکترونيکی از اطلاعات پاک کنند. يعنی انرژی لازم برای جهش الکترون را از طريق ايجاد ميدان الکتريکی ،در مسير جهش، ايجاد کنند.اين امر سبب توسعه تراشه هايي با عنوان EEPROM  گشت.

شيوه اخير در به دام انداختن الکترون ها در تراشه های نوع NOR از حافظه های فلش استفاده می شود و از آن تعبير به "تزريق الکترون های داغ"[2] می شود. برای رهاندن الکترون ها نيز از شيوه تونل زنی که توضيح آن در صفحه پيش آمد- استفاده می شود.

علت استفاده از 2 شيوه متفاوت برای نوشتن و پاک کردن بيت ها در بخش مربوطه مفصلاً خواهد آمد.


[1] Non-Volatile memories

[2] Hot Electron Injection

 


اشتراک بگذارید:


پرداخت اینترنتی - دانلود سریع - اطمینان از خرید

پرداخت هزینه و دریافت فایل

مبلغ قابل پرداخت 5,000 تومان
کدتخفیف:

درصورتیکه برای خرید اینترنتی نیاز به راهنمایی دارید اینجا کلیک کنید


فایل هایی که پس از پرداخت می توانید دانلود کنید

نام فایلحجم فایل
flash-memorynew_1671885_3241.zip1.2 MB





دسته بندی محصولات فروشگاه

آخرین محصولات فروشگاه

محبوبترین محصولات